Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.9 left arrow 9.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 12800
    Por volta de 2% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    38 left arrow 50
    Por volta de -32% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.6 left arrow 15.3
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    50 left arrow 38
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.3 left arrow 15.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.9 left arrow 9.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2512 left arrow 2566
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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