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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3731
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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