RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3731
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link