RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
18.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3731
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link