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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2347
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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