RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
12.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2347
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston ACR16D3LS1KFG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link