Comparación de la memoria RAM Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

Puntuación global

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

38 43

En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.8 12.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.9 7.6

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

14900 12800

En 1.16 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2034 2519

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns