RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
14900
12800
Wokół strony 1.16 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
14900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2034
2519
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link