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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

総合得点
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 43
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 12800
    周辺 1.16 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    12.1 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2034 left arrow 2519

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