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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3430
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
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Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT102464BF1339.M16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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