RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
47
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3606
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link