RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3606
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link