RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3606
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link