Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Puntuación global
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AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    45 left arrow 68
    En 34% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12 left arrow 6.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 4.7
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 68
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.0 left arrow 6.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 4.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1939 left arrow 1209
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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