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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
68
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
6.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
4.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
68
Velocità di lettura, GB/s
12.0
6.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
4.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
1209
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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