Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    45 left arrow 68
    Intorno 34% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12 left arrow 6.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 4.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    45 left arrow 68
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.0 left arrow 6.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 4.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1939 left arrow 1209
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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