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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
45
En -165% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
17
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3704
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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