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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    39 left arrow 45
    En -15% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 7.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 1768

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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