RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
45
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1768
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link