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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
45
左右 -15% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
39
读取速度,GB/s
12.3
7.7
写入速度,GB/s
8.0
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1768
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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