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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    45 left arrow 46
    En 2% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.6
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 46
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 8.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 1854

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
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Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
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