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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
46
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
46
Velocità di lettura, GB/s
12.3
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
1854
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
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