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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
46
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
46
读取速度,GB/s
12.3
11.6
写入速度,GB/s
8.0
8.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1854
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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