RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
48
En -129% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
21
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2801
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link