RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3423
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link