RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
2126
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link