RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Compara
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
84
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.6
2.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.0
2.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
84
Velocidad de lectura, GB/s
6.6
2.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.0
2.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
788
469
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link