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Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Comparez
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
84
Autour de 64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6.6
2.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
4.0
2.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
84
Vitesse de lecture, GB/s
6.6
2.3
Vitesse d'écriture, GB/s
4.0
2.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
788
469
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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