RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
40
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3283
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link