RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
75
En 60% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
75
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1548
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link