RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
75
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
75
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1548
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link