RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
75
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1548
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link