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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
54
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2313
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
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