RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
41
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
2231
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link