RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
41
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
36
Velocità di lettura, GB/s
11.1
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
2231
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link