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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
41
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
2231
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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