RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB против A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1348
2231
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link