RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
2382
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link