RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
比較する
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
総合得点
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
総合得点
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
38
周辺 -36% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.2
7.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.3
3.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
28
読み出し速度、GB/s
7.2
12.2
書き込み速度、GB/秒
3.0
9.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
915
2382
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAMの比較
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link