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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
7.2
12.2
写入速度,GB/s
3.0
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2382
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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