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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2237
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
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