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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
3272
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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