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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
3152
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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