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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2126
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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