RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2173
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link