RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2173
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link