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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2476
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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