RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2336
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link