RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
43
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
2336
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link