Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Средняя оценка

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

50 64

Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения

5 17.5

Среднее значение в тестах

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.3 1,905.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 64
Скорость чтения, Гб/сек

5,143.3 17.5
Скорость записи, Гб/сек

1,905.1 9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 2205

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM