RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
43
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2336
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link